前三星电子高管涉嫌盗取公司机密，意图在中国设立山寨版三星电子半导体工厂的A某被逮捕和起诉。
韩联社报道，韩国水原地方检察厅星期一（6月12日）宣布，以违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》的罪名将A某逮捕和起诉，并以涉嫌违反《不正当竞争防止法》等罪名，针对A某在中国设立的公司所属五名职员和涉嫌泄露设计图的三星电子合作公司一名职员，共六人进行不捕直诉。
A某涉嫌从2018年8月起至2019年，以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据（Basic Engineering Data）、工艺流程图、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存晶片（NAND）的制程工艺，属于国家关键技术。
当局调查后发现，A某试图在距离三星电子西安半导体工厂仅1.5公里处兴建山寨版三星晶片厂。由于台湾一家电子产品制造商曾承诺的8万亿韩元（约83.3亿新元）投资落空，工厂建设项目没能实际进行。但据悉，A某曾在成都获得4600亿韩元投资建设半导体制造工厂，工厂的研发楼已于去年完工，并采用三星电子半导体技术生产出了样品。
A某曾任三星电子常务、SK海力士副社长等职务，是韩国半导体制造领域具有权威地位的人物。他在华设厂后，录用200名三星电子、SK海力士的员工，并指示他们获取并利用三星电子半导体设计资料。检方推算，A某泄露技术导致三星电子蒙受至少3000亿韩元损失。
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